Productieproces van anti -reflecterende film

Technologisch proces
Zorg voor groeimaterialen en gasbronnen: zorg voor groeimaterialen voor de anti -reflecterende film, zoals SIO in sommige uitvoeringsvormen, terwijl gasbronnen die overeenkomen met de groeimaterialen, zoals SIH ₄, n ₂ o en n ₂ gasbroncombinaties ., .
Formation of anti reflection layer: Use the same growth material to sequentially form at least two anti reflection layers of anti reflection film on the substrate layer. The substrate layer can include SiO layer, Si layer, and absorption layer in sequence along the direction of film growth. Taking the two-layer anti reflection layer (first anti reflection layer and second anti reflection laag) Als voorbeeld wordt het gevormd door epitaxiaal groeiproces (zoals plasma verbeterde chemische dampafzettingsmethode pecvd) . De specifieke stappen zijn als volgt:
Substraatverwerking: Plaats na het reinigingsproces van halfgeleider op de substraatlaag de substraatlaag op de CVD -depositie -apparatuur .
Apparatuurparameterinstellingen: Regel de bovenste elektrode -temperatuur van de CVD -depositierapparaat op 200-300 graad en de lagere elektrode -temperatuur tot 250-350 graad .
Growth of the first anti reflection layer: Adjust the first deposition parameters of the CVD deposition equipment, including the first volume flow rate of SiH ₄, N ₂ O, and N ₂, the first gas pressure, the first RF power of the CVD deposition equipment, the first thin film deposition time, etc., or any combination thereof, to grow the first anti reflection layer with a thickness range of 10-200 nm en een brekingsindexbereik van 1.4-1.71.
Growth of a second anti reflection layer: Adjust the second deposition parameters of the CVD deposition equipment, including the second volume flow rate of SiH ₄, N ₂ O, and N ₂, the second gas pressure, the second RF power of the CVD deposition equipment, the second thin film deposition time, etc., or any combination thereof, to grow a second anti reflection layer on the first anti reflection layer, with a Dikte bereik van 10-200 nm en een brekingsindexbereik van 1.4-1.71.

Technologische voordelen
Door hetzelfde groeimateriaal te gebruiken, kan de anti -reflectiefilm hetzelfde anti -reflectieeffect bereiken in vergelijking met gestapelde anti -reflectiefilms van verschillende materialen, waardoor de soorten gebruikte gasbronnen worden verminderd, waardoor de moeilijkheid van het bereidingsproces wordt verlaagd en de bereidingsruimte en werkgebied worden vergroot vanwege het opslag en gebruik van gasbronnen .}

Productieproces van hybride SIO ₂/tio ₂ anti -reflecterende film

Technologisch proces
Bereiding van substraat: selecteer transparante substraten zoals glas, organisch glas, polyimidefilm, enz. . en voer de behandeling van vlekken uit om een schoon en stofvrij oppervlak te garanderen . indien nodig, enkelzijds of dubbelzijdig polijsten kunnen worden uitgevoerd om lichte transmissie-efficiëntie te verbeteren .}
Voorbereiding van filmvoorloper: tetraethoxysilaan (TEOS) en tetrabutyltitanaat (TBT) worden toegevoegd aan ethanol die NH ₄ OH in een bepaald verdeel bevat, en de reactie wordt gehouden voor 9-12 uren om een transparant sol - gelsysteem . te krijgen.
Coating en uitharding: het voorbereide Sol-gelsysteem is gelijkmatig gecoat op het transparante substraat en spincoating, spuiten, poetsen en andere schema's kunnen worden gebruikt . Na coating wordt de hybride SIO ₂/tio ₂ filmprecursor geplaatst in een oven voor genezing en een multi-layer-structuur, een multi-layer.
Circulaire coating: herhaal het coating- en uithardingsproces totdat het gewenste anti -reflecterende effect is verkregen . verschillende coatingtijden en sequenties zullen de prestaties van anti -reflecterende films beïnvloeden, en onderzoek en optimalisatie zijn nodig .
Oppervlaktebehandeling: om de duurzaamheid en stabiliteit van de anti -reflecterende film te vergroten, kan een laag hydrofiel en hydrofoob polymeer worden bekleed op het oppervlak van de anti -reflecterende film .

Productieproces van infrarood anti -reflecterende film
Technologisch proces
The infrared anti reflection film is based on silicon and coated with anti reflection films on both sides of the substrate. The film system structure of the anti reflection film is independent of each other as (HL) ^ S, where H represents the Si layer, L represents the SiO layer, S represents the period of the HL basic structure, and the value of S is an integer between 3-6. The Si layer is adjacent to the substrate, and the SiO layer is located on the surface. The coating process is used to attach the film layer to the substrate, with SiO film layer as the outermost layer, which has high surface hardness and does not require an additional protective layer. Additionally, SiO has a lower refractive index, which can reduce surface reflectivity and further increase infrared Transmittance .

Productieproces van resistente co ₂ laser anti-reflectief film op hoge temperatuur
technologisch proces
Materiaal Pre -smelten: afzonderlijke pre -smeltende behandeling wordt uitgevoerd op yttriumfluoride, calcium yttriumfluoride en zink selenide filmmaterialen om onzuiverheden in de filmmaterialen te verwijderen .
Deposition film layer: The first yttrium fluoride layer, yttrium calcium fluoride layer, zinc selenide layer, and second yttrium fluoride layer are sequentially deposited on a zinc selenide substrate layer with a thickness of 3 ± 0.1mm by vacuum evaporation. The coverage area of each layer is over 95% of the oppervlakte van de substraatlaag . De fysieke dikte -eisen voor elke laag zijn als volgt: de fysieke dikte van de eerste yttrium fluoridelaag is 95-100 nanometers; De fysieke dikte van de ytterbium calciumfluoridelaag is 860-870 nanometers; De fysieke dikte van de zink -selenide -laag is 240-250 nanometers; De fysieke dikte van de tweede yttrium -fluoridelaag is 95-100 nanometers.
 

Technologische voordelen
Het voorbereide anti -reflectiemembraan heeft een eenvoudige structuur en uitstekende ontwerp . De combinatie met vier lagen heeft de kenmerken van hoge temperatuurweerstand, hoge transmissie, stevige membraanlaag, complementaire stress tussen membraanlagen tussen membraanlagen en niet -ruptuur van membraanlagen . Het kan voldoen aan de continu -exemplaren en de materialen die niet worden gebruikt in de lagen, en de continu die de continu -exemplaren is, die niet worden gebruikt in elke laag van de continu die de continu -laag is, die in elke laag worden gebruikt, die worden gebruikt in elke laag, die niet worden gebruikt in de laad. geen schade veroorzaken aan operators en de omgeving .